比韩国存储双雄更早落地！长鑫隐秘研制DRAM新技能：无需EUV光刻机 抢先一步打破技能约束。韩媒报导，我国存储巨子长鑫存储正在合肥测验一条键合式DRAM实验生产线，方针是在不运用EUV光刻设备的情况下完成高性能DRAM制作。这一技能被视为1D及今后DRAM代代的重要工艺方向，被三星、SK海力士和长鑫存储等厂商视为下一代DRAM竞赛的关键技能之一。

  现在，三星正经过代号为B1b的项目推动自主键合式DRAM研制技能，而SK海力士也在同步开发相似技能。假如长鑫存储的生产线发展顺畅，这不只意味着其在传统DRAM制程上继续追逐故意龙头，还或许经过键合式DRAM这一新技能道路绕开EUV设备约束，加快缩小与故意抢先厂商之间的技能距离。

  据业界观念，长鑫存储在键合式DRAM技能成熟度以及研制推动速度方面，或许已抢先于韩国两大存储厂商。